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ASTSIC

碳化硅MOS管系列

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鍇威特半導體

碳化硅二極管系列

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產品特點： 低VF，高浪涌電流耐量極小的反向恢復電荷，大幅降低開光損耗VF正溫度系數，利于并聯使用Trr溫度特性更加穩定，利于高溫應用
維安半導體

超結高壓MOS管系列

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特點：? 500V-1200V 超結MOSFET? RDS(ON) 0.04Ω-7Ω? 深溝槽& 多次外延超潔MOSFET技術 優勢：? 800V, 900V 系列? 小尺寸SOT223, PDFN8*8 ? C4 系列超結 MOSFET
超致半導體

超結高壓MOS管系列

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超致SJ-MOSFET 的第一代產品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動態特性接近C6，能夠完全替代英飛凌C3或C6產品。?高效率比較高的輕載、滿載效率，超低的導通內阻、Qg，有效的降低導通、開關損耗。?低溫升較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。?高穩定性比較強的EAS能力，能對電源抗沖擊能力提供有效保障。芯片內部缺陷遠少于低成本的溝槽工藝產品，高溫穩定性大大提高。?易用性超致的SJ-MOSFET在使用過程中簡單、易用，驅動電流需求很小，對新一代高速開關電源提供有力的支持。?型號齊全超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號，電壓等級覆蓋500V，600V，650V，700V，800V，900V；電流等級覆蓋2A，5A，7A，10A，11A，15A，20A，30A，47A等全系列產品。后續還會開發更多規格的產品。?應用范圍廣超致產品從消費類到工業類都有廣泛的應用，例如LED照明，各種中小功率充電器，大功率充電樁，通信電源，工業電源……
AUK

超結高壓MOS管系列

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AUK has Silicon based Planar and Super Junction, Trench MOSFETs, Schottky barrier diodes, Ultrafast rectifier diodes and IGBTs. Silicon Carbide (SiC) devices cover Schottky diodes and MOSFETs.
SemiHow

超結高壓MOS管系列

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Super Junction MOSFET- Deep trench processing technology and EPI stack & EPI filling technology over 45 μm EPI depth- Transforming vertical electromagnetic fields into horizontal forms and using EPI high in the same specification- Higher concentration of EPI stack-Tech. reduces Rsp, reducing chip size by 70% with the same specifications as Planar MOSFET
深鴻盛

超結高壓MOS管系列

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主要產品有碳化硅肖特基二極管（SiC Schottky Diodes）、超快恢復整流二極管（FRED）、場效應管(MOSFET)、多層外延超結MOS(SJ-MOSFET) 、中低壓SGT MOS、Sic & IGBT及模塊,產品廣泛應用于PD電源、電機驅動、新能源BMS、工業電源、通信電源、UPS電源、電動工具、高頻逆變器、光伏逆變器、充電樁、 LED照明、電動車控制器及其他各類電源。
安路電子

安路電子保險絲產品系列

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1、選用所需要的安規認證根據整機所需要的安規認證決定保險絲的安規認證，如UL,C-UL,VDE,CCC,SEMKO,PSE,KTL,BSI等規格 2、選用保險絲的尺寸形狀根據電路設計中的空間決定尺寸的大小，如長度、直徑、是否帶引線等。 3、選用保險絲的額定電壓選用保險絲的額定電壓需選用大于或等于實際電路中所需的有效電壓，一般有24V,32V,63V,125V,250V,350V等。 4、選用保險絲的分斷能力選用保險絲的分斷能力應大于電路中的最大故障電流。 5、選用保險絲的額定電流因保險絲在實際電路使用中與實驗室測試條件的差異（如：客戶在安裝保險絲所使用的保險絲盒、保險絲夾產生的接觸電阻和電路中電線橫截面積等差異），考慮以上因素，故在25°C條件下所選用的保險絲管應滿足如下條件才可使用保險絲管持續可靠地工作：UL規格：保險絲管的額定電流（In）=穩態電流/0.75IEC規格：保險絲管的額定電流（In）=穩態電流/0.9JIS規格：保險絲管的額定電流（In）=穩態電流/0.85環境溫度：保險絲的電流承載能力測試是在環境溫度25°C條件下進行的，環境溫度越高，保險絲的壽命越短，承載能力越低，所以選保險絲時應考慮環境溫度。 6、考慮電流脈沖脈沖會產生熱循環，并產生會影響保險絲壽命的機械疲勞，在設計時應使用實際脈沖I2t在考慮脈沖因素的前提下小于保險絲的額定熔化熱能I2t（保險絲定額I2t＞實際脈沖I2t/Pf） 首先根據在實際電路中產生的最大脈沖，計算出次脈沖的I2T值；其次利用脈沖循環承受能力，客戶選定承受該脈沖的次數；最后利用脈沖循環承受能力和電路中脈沖I2T值，計算所需保險絲的I2T值。
冠禹半導體

中低壓MOS管系列

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研發測試實驗室滿足功率器件研發、工程、應用測試各項需求：- 器件的靜態直流參數（BVDSS/VTH/IDSS/IGSS/RDSON/VSD等）- 器件的動態參數（Ciss/Crss/Coss/Qg/Qgs/Qgd/Trr/Qrr/Tdon/Tr/Tdoff/Tf/Rg等）- 器件的EAS雪崩擊穿參數- 器件的ESD抗靜電能力- 系統應用的溫升/效率/波形- 系統應用的EMI/EMC 可靠性實驗室根據客戶要求執行JEDEC的各級標準考核可靠性試驗項目：- 高溫正偏/反偏HTRB/HTGB- 吸濕敏感度MSL- 溫度循環TCT- 高溫蒸煮PCT- 高溫儲存HTST- 溫濕度儲存THT- 可焊性試驗Solderability
光磊電子

中低壓MOS管系列

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研發設計- 版圖設計Candences、L-EDIT- 結構及工藝仿真- Sentaurus、Tsuprem4、Silvaco、Medic 晶圓制造- Bipolar- Planar- Trench- SGT- Depletion- IGDCT 封裝測試- TO-251、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247- SOT-23、SOT-89、SOP-8、TO-252、QFN- SOT-227B 已先后在產品結構創新，改善功率器件性能、提高功率器件可靠性等方面獲得多項專利。
NXP

分銷系列

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infineon

分銷系列

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